現代記憶依靠電子電荷來存儲信息。雖然地球上設計和使用的大部分內存足以完成任務，但當系統(tǒng)離開我們的大氣層時，顯著更高水平的輻射的影響可能會對存儲在太空中的數據造成嚴重破壞。
 
MRAM是一種非易失性存儲器，可以保護數據免于斷電并在空間中正常運行。Everspin及其合作伙伴在太空和易輻射環(huán)境中擁有比其他公司都多的MRAM。
 
Everspin MRAM制造商可以在后端(BEOL)FAB中提供8英寸MRAM晶圓。與多個CMOS前端(FEOL)代工廠選項配合使用能夠提供分立和嵌入式MRAM。Everspin一直以這種方式為其合作伙伴生產太空級MRAM。
 
在更高級的節(jié)點上，Everspin從2017年開始交付商用MRAM（40納米到22納米）。定制MRAM或嵌入式MRAM設備也可以在這些節(jié)點上使用。Everspin MRAM已經過獨立測試，并且顯示在大于1Mrad和LET值為84MeV-cm2/mg時具有零硬錯誤。
 
Everspin還擁有商業(yè)內存路線圖，可提供商業(yè)現貨(COTS)功能，有助于提高RADHARD解決方案的效率、成本管理和長期可用性。長期路線圖讓設計人員有信心將MRAM設計到他們的軍事和航空航天解決方案中，而不必擔心因不斷的產品變化而過時或重新認證。


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