在所有不斷涌現(xiàn)的存儲器中，非易失性存儲器MRAM似乎最有可能被廣泛采用。而這種情況是否會很快發(fā)生，既取決于制造工藝的進(jìn)步，也取決于支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)的改善。
 
目前MRAM是在單獨(dú)的晶圓廠作為“后端生產(chǎn)線”（BEOL）工藝來生產(chǎn)的，需要一些傳統(tǒng)CMOS制造工藝沒有使用的新設(shè)備，諸如離子束蝕刻和新的濺射靶之類。要想降低嵌入式MRAM產(chǎn)品的成本，其制造就需要進(jìn)入CMOS晶圓廠，成為常規(guī)器件生產(chǎn)的一部分。
 
除了將MRAM進(jìn)一步納入制造鏈外，它和其它半導(dǎo)體制造工藝一樣，質(zhì)量控制和產(chǎn)量提高將是持續(xù)的挑戰(zhàn)和機(jī)遇，而所有大型半導(dǎo)體代工廠都將MRAM內(nèi)存作為嵌入式產(chǎn)品的一個選項，這一點(diǎn)非常重要。通過將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中，并將MRAM作為常規(guī)器件引入大批量生產(chǎn)流程，產(chǎn)量和質(zhì)量問題將會得到解決，專門用于生產(chǎn)MRAM的獨(dú)有工具也將變得更加常見，并更多地嵌入到代工生產(chǎn)中。這樣就能降低成本，并增加可用性。
 
MRAM獨(dú)特功能可以替換現(xiàn)有內(nèi)存，比如SRAM，或者共同創(chuàng)建新的用例。正在設(shè)法使MRAM盡可能地和SRAM相像，二者的價值定位相同，但是在相同的占位面積內(nèi)，MRAM能提供三到四倍多的內(nèi)存，而且不會有SRAM帶來的任何泄漏情況出現(xiàn)。然而，不斷改進(jìn)材料非常重要，采用一種適用于任何磁隧道結(jié)的電路級方法，這種方法能讓其在耐久性方面得到重大改進(jìn)，從而提高性能。
 
Everspin公司生產(chǎn)的MRAM有兩種類型——切換MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器啟用或FPGA，該公司也一直在通過其伙伴關(guān)系發(fā)展其生態(tài)系統(tǒng)。Everspin代理英尚國際有限公司可提供MRAM樣品測試及應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。

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