DRAM主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，導(dǎo)致電容上所存儲(chǔ)的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損。因此對(duì)于DRAM來(lái)說(shuō)，周期性地充電是一個(gè)無(wú)可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱(chēng)為“動(dòng)態(tài)”存儲(chǔ)器。
 
DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問(wèn)速度較慢，耗電量較大的缺點(diǎn)。與大部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會(huì)在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。
 
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體是全球最大的移動(dòng)應(yīng)用解決方案提供商之一的DRAM廠家。
 
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體LPDRAM產(chǎn)品線主要包括LPDRAM (KGD)，LPDRAM (SDR/DDR1)，LPDRAM (DDR2)，LPDRAM (DDR4x),產(chǎn)品更新到16Gb的容量，LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR（部分陣列自刷新、自動(dòng) TCSR（溫度補(bǔ)償自刷新）根據(jù)芯片溫度改變刷新周期、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度的模式、DPD 深度掉電）模式等。
 
LPDRAM可為計(jì)算設(shè)備、手機(jī)以及汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)提供各種特性和功能。用更低的功耗、更少的時(shí)間和空間來(lái)設(shè)計(jì)應(yīng)用。提供各種低功耗DRAM (LPDRAM)，這些器件具有低功耗、高性能、各種密度選項(xiàng)和寬溫度范圍，可充分利用各類(lèi)設(shè)計(jì)。更多產(chǎn)品相關(guān)詳情及技術(shù)支持、解決方案咨詢JSC官方代理英尚微電子。


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LPDDR4X產(chǎn)品型號(hào)

Type	Part Number	Density	BUS	Voltage	Max Frequency	Package Type	Status
LPDDR4x2CHx32	JSL4BAG329ZAMF-05	16Gb	x32	1.8V/0.6V	1866Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x2CHx32	JSL4BAG329ZAMF-05A	16Gb	x32	1.8V/0.6V	2133Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x2CHx32	JSL4A8G329ZAMF-05	8Gb	x32	1.8V/0.6V	1866Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x2CHx32	JSL04A8G329ZAMF-05A	8Gb	x32	1.8V/0.6V	2133Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x1CHx16	JSL4B8G168ZAMF-05	8Gb	x16	1.8V/0.6V	1866Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x1CHX16	JSL4B8G168ZAMF-05A	8Gb	x16	1.8V/0.6V	2133Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x1CHx16	JSL4A4G168ZAMF-05A	4Gb	x16	1.8V/0.6V	2133Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now
LPDDR4x1CHx16	JSL4A4G168ZAMF-05	4Gb	x16	1.8V/0.6V	1866Mhz	200B(10.0x15.0mm)	Sample Now

 
 
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