半導體存儲器經(jīng)過40多年來的發(fā)展，根據(jù)Yole Developpement市場分析公司的數(shù)據(jù)，PCM將會迎來迅速的發(fā)展的大時機，并預計會實現(xiàn)約50億美元的銷售額在2023年。
 
PCM的市場份額被預估會從2018年的2.73億美元增長到2023的61億美元，并將占83
%來自每年獨立的新興非易失性存儲器市場份額，大概為86%的復合年增長率。
 
YOLE預計到2023年，ReRAM會上升到銷售額排名第二的位置，即使目前ReRAM并未大面積被使用的情況下。
 
新興的非易失性存儲器市場受到來自獨立的和嵌入式應用技術市場的沖擊。資料來源：Yole Developpement。
 
在SCM及基于PCM的3D XPoint存儲器的Intel和Micron的推動，獨立非易失性存儲器日漸增長。同時存儲器廠家海力士也同時在研究類似于英特爾和美光的方法。
 
根據(jù)YOLE的分析師Simone Bertolazzi的聲明中，可以得知即使圍繞嵌入式應用的新興NVM正在蓬勃發(fā)展，也不阻礙獨立存儲器將會主導市場，而獨立存儲器的主導是由SCM企業(yè)和客戶端應用驅動的。
 
DRAM在未來五年仍然會繼續(xù)不斷的擴展，但發(fā)展速度應該比之前的慢些，也由于3D集成技術的發(fā)展，NAND閃存的容量也將會不斷的增加。由于特性及市場的不同，新興的NVM不會取代獨立的DRAM跟NAND FLASH,應該會在組合存儲器中對其進行補充。
 
ReRAM有可能成為第一個與3D XPoint相競爭的獨立技術，但是由于技術限制，ReRAM的發(fā)展還是比較緩慢的，目前Crossbar Inc.和Nantero Inc是支持獨立的ReRAM的技術應用的。
 
新興的非易失性存儲器因應用而發(fā)展。
 
ReRAM有可能與SCM再次作為競爭者在2020年之后，在高速性及高耐久性上，STT-MRAM也認為很有應用前景但限于制作工藝的復雜性未能大面積被應用。
 
目前來看STT-MRAM正在為微控制器增添動力相對于新興非易失性存儲器的嵌入式市場，所有主流的代工廠都參與了STT-MRAM的領域加速研發(fā)STT-MRAM。
 
與獨立市場相比，嵌入式新興NVM從2017市場份額來看只占了3%相對性市場規(guī)模還是比較小的，所有頂級代工廠都在準備28nm或22nm的STT-MRAM產(chǎn)品。
 
Yole預測，到2023年，STT-MRAM將占據(jù)每年11億美元的市場份額的四分之三左右，其余大部分將用于ReRAM技術。
本文關鍵詞：MRAM

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