從人工駕駛到輔助駕駛再到全自動(dòng)駕駛，社會(huì)正在將人為操縱的一切轉(zhuǎn)向電子控制。尤其是近兩年，L3甚至以上的汽車越來越多，自動(dòng)駕駛和現(xiàn)實(shí)的距離就差“一小步”。
 
簡單解釋一下什么是L0、L1、L2、L3、L4、L5級(jí)別：針對自動(dòng)駕駛的等級(jí)劃分，目前主要有兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，一是美國交通部下屬的NHSTA（國家高速路安全管理局）制定的，另外則是SAE International（國際汽車工程師協(xié)會(huì)）所制定的。通常來說，大家還是使用SAE進(jìn)行區(qū)分。
 
縱觀整個(gè)市場，現(xiàn)在的汽車究竟搭載了多少復(fù)雜的功能？自動(dòng)泊車、碰撞警告、主動(dòng)剎車、ACC自適應(yīng)巡航、VSA車聯(lián)網(wǎng)檢查、ISA電子警察系統(tǒng)、TMC實(shí)時(shí)交通系統(tǒng)、360環(huán)視、并線輔助、LDWS車道偏移警告系統(tǒng)、HMW車距檢測及警告、FCWS前車防撞預(yù)警系統(tǒng)、PED行人檢測、車道保持系統(tǒng)……

 
對于智能汽車最為重要的是什么？是毫無延遲的快速反應(yīng)，是毫厘之間的秒開體驗(yàn)，是無縫對接的交互。數(shù)據(jù)量膨脹之下，除了算力，數(shù)據(jù)本身所在的存儲(chǔ)載體是影響這些的首要因素。
 
問題來了，你知道怎么選擇內(nèi)存嗎？下面存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚國際有限公司為大家介紹一下一些用于汽車應(yīng)用中的存儲(chǔ)芯片。
 
MRAM
MRAM涉及汽車應(yīng)用。對于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時(shí)收集和存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。
 
使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)，因此閃存難以保持這種數(shù)據(jù)流。新的安全氣囊系統(tǒng)還具有傳感器，用于檢測和記錄乘客的體重，與車輛上其他安全裝置的相互作用以及碰撞的影響。
 
其他汽車系統(tǒng)，例如里程表，輪胎氣壓記錄儀和ABS，需要頻繁地對內(nèi)存進(jìn)行寫操作，而這些寫操作很容易超過閃存的寫擦除功能，并且會(huì)耗盡其內(nèi)存。MRAM具有無限的寫循環(huán)能力，可確保為安全氣囊和ABS等關(guān)鍵任務(wù)設(shè)備提供更可靠的系統(tǒng)。
 
FRAM
VCU系統(tǒng)需要以每秒一次的速度記錄汽車行駛的當(dāng)前狀態(tài)以及出現(xiàn)故障時(shí)的變速器擋位、加速情況、剎車和輸出扭矩等信息，采用FRAM技術(shù)可以通過較簡單的軟件進(jìn)行存儲(chǔ)和讀取，同時(shí)保證了高速可靠。例如富士通汽車標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品MB85RS2MLY，其讀寫次數(shù)可達(dá)10兆次，范圍為-40°C至+125°C，非常適合于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用(例如，連續(xù)10年每天記錄0.1秒的數(shù)據(jù)，則寫入次數(shù)將超過30億次)，具有極高的數(shù)據(jù)寫入穩(wěn)定性和可靠性。
 
對于BMS(電池管理系統(tǒng))這一新能源汽車的另一大核心技術(shù)來說，這些特性同樣重要。電池管理系統(tǒng)需要實(shí)時(shí)記錄和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其系統(tǒng)將以每秒或每0.1秒的頻率實(shí)時(shí)和連續(xù)地記錄電池的重要數(shù)據(jù)(故障信息、健康狀況SOH和電量計(jì)量SOC等)，同時(shí)監(jiān)測電池的短期(最后幾個(gè)充電周期為60次/秒)和長期(電池的整個(gè)壽命)性能。舉例來說一般情況下電池組的電量保持在30%~75%表示運(yùn)行正常，如果有不平衡的情況需要從其他電池組補(bǔ)充，此時(shí)系統(tǒng)需要檢測記錄電池組的電量、溫度、電壓、電流等數(shù)據(jù)，并且一次監(jiān)測記錄的時(shí)間不宜過長。


本文關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器 FRAM MRAM  

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