在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)（可稱作系統(tǒng)內(nèi)存）。
   
DRAM
 
DRAM由許多重復(fù)的位元格組成，每一個基本單元由一個電容和一個晶體管構(gòu)成。電容中存儲電荷量的多寡，用于表示“0”和“1”。而晶體管，則用來控制電容的充放電。
   
由于電容會存在漏電現(xiàn)象。所以，必須在數(shù)據(jù)改變或斷電前，進行周期性“動態(tài)”充電，保持電勢。否則，就會丟失數(shù)據(jù)。因此，DRAM才被稱為“動態(tài)”隨機存儲器。
 
DRAM一直是計算機、手機內(nèi)存的主流方案。計算機的內(nèi)存條（DDR）、顯卡的顯存（GDDR）、手機的運行內(nèi)存（LPDDR），都是DRAM的一種。（DDR基本是指DDRSDRAM，雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。）
 
值得一提的是，顯存這邊，除了GDDR之外，還有一種新型顯存，叫做HBM（HighBandwidthMemory）。它是將很多DDR芯片堆疊后，與GPU封裝在一起構(gòu)成的（外觀上看不到顯存顆粒了）。
 
SRAM
 
SRAM大家可能比較陌生。其實，它就是我們CPU緩存所使用的技術(shù)。SRAM的架構(gòu)，比DRAM復(fù)雜很多。
 
SRAM的基本單元，則最少由6管晶體管組成：4個場效應(yīng)管（M1,M2,M3,M4）構(gòu)成兩個交叉耦合的反相器，2個場效應(yīng)管（M5,M6）用于讀寫的位線（BitLine）的控制開關(guān)，通過這些場效應(yīng)管構(gòu)成一個鎖存器（觸發(fā)器），并在通電時鎖住二進制數(shù)0和1。因此，SRAM被稱為“靜態(tài)隨機存儲器”。
     
SRAM不需要定期刷新，響應(yīng)速度快，但功耗大、集成度低、價格昂貴。所以，它主要用于CPU的主緩存以及輔助緩存。此外，還會用在FPGA內(nèi)。它的市場占比一直都比較低，存在感比較弱。
 

本文關(guān)鍵詞：SRAM,DRAM

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