基于ReRAM技術的SSD即將面世
2017-11-10 15:35:32
SSD雖然能夠通過堆疊層數(shù)來增大單顆粒容量，但隨著層數(shù)越來越多，所需要的硅穿孔數(shù)目越多，制造難度直線上升，不僅生產(chǎn)成本高，良品率也無法保證、，一些擁有深厚技術的存儲廠商早就開始探索新一代非易失性存儲器了。除了Intel那個未知原理的3D XPoint閃存以外，還有大熱的ReRAM，這是一種以電阻值來記錄數(shù)據(jù)的非易失性存儲器，具有單位面積容量大、讀寫速度快特性，而對此研究了好些年的Mobiveil聯(lián)合Crossbar將會推出基于ReRAM技術的SSD，為存儲市場增添新活力。
ReRAM其實就是一種憶阻器模型，是一種能夠描述電荷和磁通之間關系的全新元件，也是一種具有記憶功能的非線性電阻，不僅可以記憶流經(jīng)自身的電荷數(shù)量，也可以通過控制激勵源的電流或者磁通來改變自身的阻值大小，并且這種阻值變化可以在斷電下繼續(xù)保存相當長的一段時間。
單一憶阻器其實就是一個長條形的器件，擁有三層結(jié)構(gòu)，包含有上下電極和中間的開關層，通過電極施加不同的電壓值就能改變中間的特殊結(jié)構(gòu)的電阻值，從而達到存儲數(shù)據(jù)功能（電阻值代表0/1或者是更多位數(shù)據(jù)）。其穩(wěn)定性非常好，具備了普通閃存顆粒不具備的超寬溫度耐受值，-40-125℃。一百萬次讀寫周期后，在85℃下數(shù)據(jù)可以保持10年不消失。
而且這種長條形結(jié)構(gòu)可以很容易地組建成大規(guī)模陣列，簡單的結(jié)構(gòu)使得存儲容量、密度遠超現(xiàn)有的閃存技術，輕松實現(xiàn)TB存儲顆粒。
另外由于其結(jié)構(gòu)簡單，它的主控開發(fā)也變得異常簡單，現(xiàn)有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地適應ReRAM架構(gòu)。
不過Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革現(xiàn)有SSD的名，因為它至少短期內(nèi)不是民用消費級，而是面向商業(yè)應用方案，因為目前來看ReRAM SSD雖然性能指標一流，但制作成本非常高，甚至比NV-DIMMM更為昂貴，就像是Intel的傲騰都是在虧本在賣。
所以Mobiveil與Crossbar將ReRAM的銷售方向、潛在客戶都與Intel 3D XPoint閃存硬盤Optane相同，并在積極開發(fā)能夠平衡價格與性能的產(chǎn)品，帶動公司的繼續(xù)發(fā)展。
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